作为LED封装工作抢先厂商，国星在新时局下的布局蓝图已绘就，2021年剑指四大运用领域：MiniLED背光、MiniMicroLED闪现、第三代半导体、以及包括UVLED、植物照明和健康照明在内的细分领域。

　　RGB闪现：MiniMicroLED直显两手抓

　　“‘春江水暖鸭先知’，国星的一贯作风是坚持快速感知新事物并及时照应商场新需求，在MiniMicroLED等新式闪现领域也是如此。”王董如是说。

　　在MiniMicroLED直显领域，国星较早初步贮藏前瞻性技术，近年来先后推出了第一代IMD M09、M06、M05、MicroLED等闪现产品；并且不断攻坚技术难点，2020年Q4，国星特别为降本推出IMD M09标准版，打破了价格间隔。其他，公司IMD M07产品也现已量产落地。

　　2020年底，国星与奥拓电子联合打造的16KMiniLED闪现屏落户宁波地铁站四号线，成为其时国内地铁站内最大、分辨率最高的LED电子屏。此次MiniLED地铁屏选用的是国星IMD F15器件，产品在可靠性、闪现效果特性和本钱管控方面都更上一层楼。

　　值得注意的是，这是MiniLED闪现屏首度进入地铁领域，意味着从某种程度上讲，国星首要推动了MiniLED闪现屏在交通运输商场的落地运用。

　　在MicroLED领域，国星已在2020年推出了第一代MicroLED闪现新品nStarⅠ。这款2。7英寸MicroLED闪现模组选用玻璃基板工艺和被动式驱动技术，透光度极高，可完结如玻璃般的能见度，有望在轿车俯首闪现、商业橱窗闪现等完结运用，为新式高清闪现的高端运用拓展商场。

　　在5G加8K时代，nStarⅠ的面世标志着国星新一代以MicroLED为代表的新式闪现时代现已到来，也意味着国星已然成为推动新式闪现技术快速展开的一股不容忽视的力气。



　　王董标明，在新式闪现技术领域，国星未来将选用更多元化的协作办法，会合优势资源，加大产能投入，灵敏扩展并安靖产能规划优势，安靖龙头引领方位，不断提高商场竞争能力。

　　MiniLED背光：两大技术路途并进

　　在MiniLED背光技术领域，国星技术贮藏丰盛，活泼布局MiniPOB和MiniCOBCOG两种技术路途，并根据商场节奏，协作TV、面板、闪现品牌大厂推出终端产品。

　　国星Mini背光技术具有创始的结构和出光角度规划，器件产品可靠性和性价比双高。现在，国星Mini背光产品已出货数万台，用于大标准TV；一同，MiniPOB背光技术方案现已完结量产晋级，本年Q1初步批量出货。

　　未来，国星MiniPOB技术将盘绕Molding封装、安闲曲面规划、透明结构规划三大要害技术关键攻关。


　　


　　针对精细分区、柔性闪现和超薄规划的需求，国星活泼开发MiniCOBCOG技术。其间，MiniCOB产品具有光线均匀性高、封装平整度好、可靠性高档利益；MiniCOG产品具有散热功用佳、翘曲度低、出光一致性好等利益。

　　未来，国星将盘绕基板规划、固晶工艺、焊接工艺、检测返修等方面不断打破COBCOG方案的技术难题。

　　第三代半导体：战略布局新方向

　　近两年来，以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体工业迎来昌盛展开期，有望成为国产替代希望。国家2030方案和“十四五”规划已明晰第三代半导体是重要展开方向。面对工作新风口，国星已将第三代半导体列入前瞻展开战略方向，正在大力布局“三代半封测”领域。

　　2020年，国星光电研讨院便启动了组成功率器件实验室及功率器件产线的作业，在质量管控方面，“三代半封测”是继承了“LED封测”优异质量监控系统及工作口碑，致力于打造高可靠性及高质量优势的“三代半功率器件封测企业”。

　　在国星三代半分立器件项目中，TO 220TO247系列的SIC MOSFET（碳化硅场效应管）及SIC SBD（碳化硅肖特基二极管）产品现已进入了试产阶段，并且在样品阶段完结了ACE Q101车规级标准的了解检验验证作业。

　　其他，批量试产品已移送至第三方有资质的安排，根据ACE Q101、JESD22A、JESD22B、MILSTD750Method等有关车规级和工业级标准进行认证检验。

　　可见，国星已铆足了干劲，力求为我国第三代半导体工业的高质量展开添砖盖瓦。